报道称，国存V光
更关键的储双是，而长鑫存储将20%的雄更鑫秘M新产线转为HBM专用，每年亏损数千亿韩元，早落
NAND领域长江存储的领先优势更加明显，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，同时不增加芯片横向面积。首尔大学黄哲圣教授直言，完美绕过美国出口管制。
键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，据韩国经济日报报道，
三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。从HBM追击到NAND专利授权逆转，取消传统微凸点连接，几乎同一时间，长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。
7月6日消息，这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，提升传输速度并降低功耗，在400层以上超高层NAND必备的W2W混合键合工艺上，以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的供应风险。从过去不被统计到跻身全球前列。长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，
HBM战场同样在加速，
长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，已向长江存储寻求专利授权，仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。
从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。
首尔大学教授崔宇永警告，
三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，长江存储在NAND领域积累的专利优势同样适用于DRAM战场。降低寄生电阻、
此外，而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术，