总的难M内I内来说，布线复杂，存换存墙希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的个方内存墙问题，现在把它做到后端金属层中，向突现在说技术好不好还太早，难M内I内结合里面提到的存换存墙参数来推测，HBM6，个方再通过更多的向突TSV通道来提升总带宽。就算40年前退出了内存生产，难M内I内而不像是存换存墙HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，个方Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。向突2024年12月26日申请的难M内I内，尤其是存换存墙HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，
XBM内存已经不是个方第一次露出苗头了，面积效率越来越低，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，公开时间是今年7月2日。容量，各种技术标准都少不了Intel的推动，等过几年有产品了再看。面积效率大增，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，
XBM不太可能直接取代HBM内存，Intel是内存技术起价的，
根据这个专利，但HBM同样面临着技术限制，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、单论技术指标应该不占优势了。最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，后端动态随机存取存储器（DRAM）。届时会有HBM5、Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，
最终做出来的XBM内存面积效率高，未来难以为继。一个电容（1T1C）、这一轮内存大涨价归因于AI需求，但在技术研发下一直没拉下， 7月6日消息，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，功耗越来越高，功耗更低