这篇专利申请没有提到XBM内存的存换存墙具体指标，
根据这个专利，个方各种技术标准都少不了Intel的向突推动，单论技术指标应该不占优势了。难M内I内一个电容（1T1C）、存换存墙
XBM内存已经不是个方第一次露出苗头了，最新曝光的向突是一份编号为20260191095的专利申请，HBM6，难M内I内XBM不太可能直接取代HBM内存，存换存墙功耗越来越高，个方公开时间是向突今年7月2日。这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内包括面积被TSV侵占，存换存墙Intel指出当前HBM内存面临的个方技术挑战，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。未来难以为继。尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，
总的来说，
最终做出来的XBM内存面积效率高，后端动态随机存取存储器（DRAM）。就算40年前退出了内存生产，
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，这一轮内存大涨价归因于AI需求，面积效率大增，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。现在把它做到后端金属层中，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，
7月6日消息，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，布线复杂，
Intel是内存技术起价的，现在说技术好不好还太早，届时会有HBM5、Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、结合里面提到的参数来推测，容量，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，2024年12月26日申请的，面积效率越来越低，但HBM同样面临着技术限制，
功耗更低，等过几年有产品了再看。但在技术研发下一直没拉下，