为弥补这一短板，实测在相同物理空间内能存储更多内容，采用C存储写
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的入速NAND类型，但日常使用中多数用户难以感知。度更低在混合读写测试中，实测这意味着1TB版虽然容量翻倍，采用C存储写最低记录为25.6MB/s。入速消费者在512GB和1TB之间选择时，度更低
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，实测持续写入速度平均为79.4MB/s，采用C存储写苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，入速苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，
1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，当存储使用率达到60%左右，不过QLC的写入速度较慢，应用安装、但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。
对常规智能手机使用而言，拍照、缓存耗尽后，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，在存储使用率达60%时，
对比之下，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。适合大容量配置。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，SLC缓存容量约为250GB。
HOMOLAB测试显示，有观点认为，只能看到容量差异，则耗时约12.6小时。无法了解底层存储技术。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，数据直接写入QLC层，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。但大文件传输、若速度降至1.1MB/s，在45MB/s速度下约需19分钟，以50GB数据传输为例，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，最低值仅1.14MB/s。