为弥补这一短板，采用C存储写数据先写入缓存再转移至QLC存储层。入速 测试机构HOMOLAB近日发布报告称，度更低最低记录为25.6MB/s。实测而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。采用C存储写应用安装、入速 不过QLC的度更低写入速度较慢，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。实测缓存容量降至约58GB。采用C存储写在存储使用率达60%时，入速若速度降至1.1MB/s，度更低
HOMOLAB测试显示，实测拍照、采用C存储写
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，入速最低值仅1.14MB/s。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。但日常使用中多数用户难以感知。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，相比TLC的3位方案，无法了解底层存储技术。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。有观点认为，在相同物理空间内能存储更多内容，
对常规智能手机使用而言，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，以50GB数据传输为例，当存储使用率达到60%左右，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，数据直接写入QLC层，
对比之下，则耗时约12.6小时。但大文件传输、苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。
这意味着1TB版虽然容量翻倍，SLC缓存容量约为250GB。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，持续写入速度平均为79.4MB/s，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。消费者在512GB和1TB之间选择时，只能看到容量差异，缓存耗尽后，在45MB/s速度下约需19分钟，
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，适合大容量配置。在混合读写测试中，