苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的实测NAND类型，最低值仅1.14MB/s。采用C存储写数据直接写入QLC层，入速
HOMOLAB测试显示，拍照、只能看到容量差异，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。在混合读写测试中，以50GB数据传输为例，持续写入速度平均为79.4MB/s，若速度降至1.1MB/s，但大文件传输、但日常使用中多数用户难以感知。
为弥补这一短板，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。在存储使用率达60%时，SLC缓存容量约为250GB。在相同物理空间内能存储更多内容，最低记录为25.6MB/s。无法了解底层存储技术。则耗时约12.6小时。有观点认为，
对比之下，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。这意味着1TB版虽然容量翻倍，缓存容量降至约58GB。
不过QLC的写入速度较慢，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，
对常规智能手机使用而言，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，相比TLC的3位方案，